HBM（High Bandwidth Memory，高带宽内存）是一种基于3D堆叠技术的高性能动态随机存取存储器（DRAM），通过硅通孔（TSV）和微凸块（Microbump）将多个DRAM芯片垂直堆叠，并与处理器（如GPU、AI加速芯片）通过硅中介层（Interposer）实现近距离高速互连。

相比传统GDDR6内存，HBM具有更高的内存带宽、更低的功耗和更小的物理占用面积，是当前AI训练、高性能计算（HPC）和数据中心GPU的核心配套存储技术。

HBM的带宽可达1TB/s以上（如HBM3E），远超GDDR6的约800GB/s，同时功耗降低约30%。

目前主流版本包括HBM2、HBM2E、HBM3和正在推进的HBM3E，下一代HBM4预计2026年后量产，带宽将突破2TB/s。

其典型应用场景包括英伟达H100、AMD MI300X、华为昇腾910B等AI加速芯片，是支撑大模型训练与推理的关键底层技术之一。

全球市场格局

HBM市场由SK海力士、三星电子和美光科技主导。

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