碳化硅（SiC）是一种由硅和碳组成的化合物半导体材料，属于第三代宽禁带半导体。

性能优势

与传统硅（Si）材料相比，碳化硅（SiC）具备以下优势

禁带宽度：约3.26 eV，为硅的3倍，使其在高温下仍能保持稳定，理论工作温度可达400℃以上；

击穿电场强度：约为硅的10倍，可耐受更高电压，适用于1200V至3300V的高压功率器件；

热导率：高达490 W/m·K，是硅的3倍以上，具备卓越的散热能力，可显著降低系统冷却需求；

电子饱和漂移速度：更快，支持高频开关操作，开关频率可达数百kHz至MHz级，提升功率密度；

低导通电阻与无电流拖尾效应：显著降低开关损耗，提升系统能效。

主要应用领域

碳化硅的应用已从功率器件扩展至散热材料、光学基底等多个维度，覆盖四大高增长产业：

新能源汽车：用于主驱逆变器、车载充电器（OBC）、DC-DC转换器。用SiC模块可使整车能耗降低8%-10%，续航里程提升5%-10%，或降低电池成本。

AI与数据中心：应用于UPS、HVDC、SST等高功率电源设备，提升能效。作为CoWoS封装中的中介层或热沉材料，热导率远超硅，可解决GPU高发热难题。

光伏与储能：SiC器件可使光伏逆变器效率突破99%，系统能耗降低50%以上。提升储能变流器充放电效率，延长设备寿命。

通信与AR：在5G/6G射频器件上，作为氮化镓（GaN）器件的衬底，兼顾高导热与高频输出优势。SiC具备良好折射率，正被用于光波导基材，助力设备轻量化与全彩显示，可应用于AR眼镜。

全球与国产化格局

全球主导者：美国Wolfspeed（原Cree）占据全球60%以上衬底产能，日本罗姆、德国英飞凌在器件端领先。

中国进展：天岳先进、天科合达、露笑科技、三安光电等企业加速追赶，8英寸衬底量产能力逐步形成，12英寸中试线已贯通，国产化率持续提升，但整体仍低于20%。

风险提示：以上内容仅供参考，不构成投资建议。