DRAM

存储器是利用半导体材料通过电能方式存储信息的核心器件,是现代电子设备不可或缺的组成部分,主要分为易失性存储器非易失性存储器两大类。

存储类型

易失性存储器:断电后数据丢失,典型代表为DRAM(动态随机存取存储器)SRAM,具备高速读写能力,广泛应用于计算机、服务器、移动终端等需要临时高速缓存的场景。其中,高带宽存储器(HBM)作为DRAM的先进形态,凭借高带宽、低功耗、小面积优势,已成为AI训练芯片(如NVIDIA H100、AMD MI300)的关键配套组件。

非易失性存储器:断电后数据可长期保留,典型代表为NAND FlashNOR Flash,广泛用于固态硬盘(SSD)、嵌入式系统、消费电子及汽车电子等领域。NAND Flash是当前存储芯片市场规模第二大细分品类,受益于手机、PC、服务器及AI算力需求驱动,持续向更高容量升级。

全球主要厂商市场份额

全球存储市场呈现高度集中格局,由韩国与美国企业主导,中国厂商加速追赶。2025年,全球存储市场规模预计达1,848.4亿美元,同比增长11.7%,其中DRAMNAND Flash为两大核心品类,AI算力需求成为主要增长驱动力。

国内主要DRAM厂商

国内DRAM上市公司主要以兆易创新为核心代表,其通过“设计+制造”协同模式深度绑定长鑫存储,成为国内唯一实现利基型DRAM规模化量产与销售的上市企业。目前尚无纯DRAM制造企业上市,长鑫存储已完成IPO辅导,正筹备登陆资本市场。

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