薄膜沉积设备是半导体制造中实现薄膜沉积的核心装备，通过物理或化学方法在晶圆表面形成均匀、高纯度的薄膜层，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片及先进封装领域。根据工艺原理，主要分为化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）、物理气相沉积（PVD）等，其中CVD与ALD在先进制程中尤为关键。

主要技术类型与应用

PECVD（等离子体增强化学气相沉积）：用于介质层、硬掩膜沉积，支撑3D NAND与3D DRAM堆叠结构；

ALD（原子层沉积）：实现原子级精度控制，适用于高深宽比沟槽填充、金属栅极、FinFET栅极介质等先进节点；

SACVD（次常压化学气相沉积）与HDPCVD（高密度等离子体增强CVD）：用于高填充性绝缘层与层间介质；

LPCVD（低压化学气相沉积）：用于多晶硅、氮化硅等薄膜沉积。

国产厂商技术进展

中国企业在薄膜沉积设备领域实现多点突破，北方华创、中微公司、拓荆科技、微导纳米等已深度切入国内外主流晶圆厂供应链。

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