光刻机是半导体制造中技术复杂度最高、价值量最大的核心设备，通过光学系统将掩膜版上的电路图案精准投射至硅片，实现纳米级图案转移，直接决定集成电路的微细化水平和性能极限。其在半导体制造中占据约35%的制造成本，是芯片工艺节点突破的核心驱动力。

工作核心流程

1、涂胶：硅片表面均匀涂布光刻胶（光敏材料）。
2、曝光：光源通过掩膜版（含电路图案）照射光刻胶，光刻胶见光后性质改变（正性光刻胶见光溶解，负性光刻胶见光固化）。
3、显影：通过显影液去除未曝光（或已曝光）的光刻胶，将掩膜版图案复制到硅片上。
4、刻蚀/沉积：后续通过刻蚀或沉积工艺，将光刻胶图案转移到硅片底层材料，形成三维电路结构。
注：先进制程芯片需重复光刻-刻蚀工序50-90次，构建复杂的多层电路。

主要类型

全球市场：ASML主导高端，日企聚焦中低端

国产整机厂商进展

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